DFB LD

1310nmDFB-LD TO-CAN(大球管帽)

  1. Description概述
GSHOPTO Technologies supplies TO-CANs as technology enablers for OSA and module manufacturers. GSHOPTO has been a long-time industry expert in quality assurance of high-performance laser and detector chips. GB-244H9-C01 is an uncooled, 2.5Gbps, 1310nm Transistor-Outline, integrates a high-speed DFB laser and a monitor photodiode in a small form-factor metalized ceramic package. It is designed for use in SFP transceivers and other types of optical modules for high-speed telecommunication and data applications including SONET/SDH, Fiber Channel and Gigabit Ethernet.
广盛浩科技生产满足作为OSA和模块制造厂商的技术要求的TO-CAN,而广盛浩本身作为长期生产高性能激光器和探测器芯片的行业专家,在质量保证方面也很有经验。GB-244H9-C01是一种不带制冷、2.5Gbps、1310nm的同轴型激光器,在小型金属陶瓷封装中集成了高速DFB激光器和监视器光电二极管,为用于SFP收发器和其他类型的光模块而设计,其应用领域包括高速电信和数据应用包括包括SONET / SDH、光纤通道和千兆以太网等。
 
  1. Features主要特性
  • Low threshold current低阈值电流
  • 1310nm typical emission wavelength 1310nm典型发射波长
  • Uncooled DFB-LD chips with BH MQW structure具有MQW结构不带制冷器使用的DFB-LD芯片
  • TO56 package with 2.0(mm) ball lens cap用2.0(mm)的大球管帽进行TO56同轴封装
  • Data rate up to 2.5Gbps数据传输速度高达2.5Gbps
  • Good high temperature characteristics良好的高温特性
 
  1. Application应用
  • SONET/SDH OC-3/STM-1 OC-12/STM-4 OC48/STM-16
  • Gigabit Ethernet千兆以太网
  • Passive Optical Networks无源光网络
 
  1. Absolute maximum ratings绝对最大额定值
Symbol符号 Parameter
参数
Conditions
环境
Ratings
额定值
Unit
单位
VRL Reverse Voltage ( Laser Diode )
反向电压(激光二极管)
- 2 V
VRD Reverse Voltage ( Photo Diode )
反向电压(光电二极管)
- 20 V
IFLD Forward Current( Laser Diode )
正向电流(激光二极管)
  150 mA
IFPD Forward Current ( Photo Diode )
正向电流(光电二极管)
- 2 mA
TO Operating Temperature工作温度 - -20—85
TSTG Storage Temperature存储温度 - -40—95
 
 
  1. Electrical/opticalcharacteristics ( T=25℃ )电气/光学特性(温度为25℃)
Symbol符号 Parameter
参数
Test conditions
测试环境
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
单位
Ith Threshold Current
阈值电流
CW   6 12 mA
CW  85℃     35
η Slope Efficiency
斜效率
CW, Ith + 20 mA 0.4 0.45   mW/mA
CW, Ith + 20 mA, 85℃ 0.23 0.27  
Po Output Power
输出功率
CW,Ith + 20 mA 8 9   mW
CW, Ith + 20 mA, 85℃ 4.6 5.4  
Vop Operating Voltage
工作电压
CW, Ith + 20 mA   1.18 1.5 V
λp Peak Wavelength
峰值波长
CW, Ith + 20 mA 1300 1310 1320 nm
Δλ Spectral Width
光谱宽度
CW, Ith + 20 mA     1.0 nm
dλp/dT Temperature Coefficient
of Peak Wavelength
波长温度系数
CW,-20 to 85℃   0.09   nm/℃
SMSR Side-Mode Suppression Ratio边模抑制比 CW,Ith + 20 mA 35 40   dB
tr,tf Rise and Fall time
上升及下降时间
Ib=Ith, 20-80%   100 200 ps
RIN Relative Intensity Noise
相对强度噪音
CW,Ith + 20 mA   -140   dB/Hz
θ⊥* Beam Farfield (Vertical)
光束发散角(垂直)
CW,Ith + 20 mA   30   Deg.
θ∥* Beam Farfield (Horizontal)
光束发散角(水平)
CW,Ith + 20 mA   25   Deg.
Im Monitor Output Current
监视电流
CW, Ith + 20 mA 100   1000 μA
Id Dark Current( PhotoDiode )
暗电流(光电二极管)
VRD=5V     100 nA
Ct Capacitance( Photo Diode )
电容(光电二极管)
VRD=5V, f=1MHz   10 20 pF
FL Focal Length焦距   6.2 6.5 6.8 mm
*Test by Chip-on-Carrier at 25℃
*芯片放于托盘在25℃的温度下进行测试
 
  1. Outline drawings&Pin connection type产品结构图&管脚PIN连接类型

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