DFB LD

G1AB0A527 1270nm 2.5G TOSA Data Sheet

  1. Features主要特性
  • MQW-DFB-LD Chips with Buried Heterostructure(BH)具备掩埋性异质结构结构的MQW-DFB-LD芯片
  • Low Threshold Current低阈值电流
  • Data rate up to 2.5Gbps数据传输速度高达2.5Gbps
  • Good High Temperature Characteristics良好的高温特性
  • High Reliability高可靠性
  • LC Connector LC连接器
 
  1. Application应用
  • Gigabit Passive Optical Network千兆无源光网络
  • Fiber Channel光钎通道
 
  1. Absolute maximum ratings绝对最大额定值
Symbol符号 Parameter参数 Ratings额定值 Unit单位
TO Operating Temperature工作温度 0—85
TSTG Storage Temperature存储温度 -40—95
VRL Reverse Voltage ( Laser Diode )
反向电压(激光器二极管)
2 V
VRD Reverse Voltage ( Photo Diode )
反向电压(光电二极管)
20 V
IFLD Forward Current ( Laser Diode )
正向电流(激光器二极管)
120 mA
IFPD Forward Current ( Photo Diode )
正向电流(光电二极管)
10 mA
TS Lead Soldering Temperature铅焊接温度 260/10 ℃/Sec
 
 
  1. Transceiver Electrical/Optical Characteristics ( T=25℃ )收发器电气/光学特性(温度为25℃)
Symbol符号 Parameter
参数
Test conditions
测试环境
Min
最小值
Typ
典型值
Max最大值 Unit
单位
Ith Threshold Current阈值电流 CW   6 12 mA
CW  85℃   19 35 mA
Vop Operating Voltage工作电压 CW, Ith + 20 mA   1.18 1.5 V
Pf Output Power输出功率 CW,Ith + 20 mA 2 2.3   mW
η Slope Efficiency斜效率 CW, Ith + 20 mA 0.1 0.11   mW/mA
λ Center Wavelength中心波长 CW, Ith + 20 mA 1260 1270 1280 nm
Δλ Spectral Width(-20dB)
光谱宽度(-20dB)
CW,Ith + 20 mA     1 nm
SMSR Side-Mode Suppression Ratio
边模抑制比
CW,Ith + 20 mA 35     dB
Im Monitoring Output Current
监视电流
CW, Ith + 20 mA 100   1000 μA
Id Dark Current ( Photo Diode )
暗电流(光电二极管)
VRD=5V     100 nA
C Monitor PD Capacitance
光电二极管电容
VRD=5V, f=1MHz   10 20 pF
TE Tracking Error追踪误差 Im = const. (@ Po = 5.0 mW, 25°C) -1.5 - 1.5 dB
 
 
  1. Outline and Dimension Drawings产品结构和尺寸图

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