28Gpbs 1x4 InGaAs PIN

28Gbps 1×4 InGaAs PIN阵列

  1. Features主要特性
  • High Responsivity高响应度
  • Low Dark Current低暗电流
  • 1×4 Array1×4阵列
  • Good High Temperature Characteristics良好的高温特性
  • Good Low Temperature Characteristics良好的低温特性
  • Data Rate Up to 28Gbps per PIN数据传输速度高达每PIN28Gbps
 
  1. Application应用
  • Fiber channel光钎通道
  • 100G Ethernet100G以太网
 
  1. Absolute Maximum Rating绝对最大额定值
Parameter参数 Symbol符号 Ratings额定值 Unit单位
Reverse Voltage反向电压 VRL 10 V
Reverse Current反向电流 VRD 5 mA
Forward Voltage正向电压 IFLD 1.5 V
Forward Current正向电流 IFPD 5 mA
Operating Temperature工作温度 TOP -40~100
Storage Temperature存储温度 TSTG -40~100
Operating Humidity工作湿度
(non-condensing)(非冷凝)
  85 %RH
Storage Humidity存储湿度
(non-condensing)(非冷凝)
  95 %RH
Process Temperature工艺温度
(≤10 Second)(≤10秒)
TPROC 320
 
 
  1. Chip Image芯片图片

5.Optical AndElectrical Specifications光电特性
Test conditions (unless otherwise specified): -5oC≤TOP≤85oC End of Life (EOL)
测试条件(除非另有说明):-5oC≤TOP≤85oC使用寿命终止
Parameter参数 Description/ Test condition
描述/测试环境
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit单位
Responsivity
响应度
VR=2V, λ=1260-1340nm
25℃, BOL
0.9     A/W
Dark Current
暗电流
-3.3V 25℃, BOL     10 nA
-5.0V 25℃, BOL     20 nA
-3.3V overtemp, BOL     250 nA
-5.0V 25℃, EOL     500 nA
-3.3V overtemp, EOL     2000 nA
PD Capacitance
光电二极管电容
C-V meter@1MHz, VR=2V, 25℃, BOL     0.12 pF
Bandwidth(-3dB)
带宽(-3dB)
VR=2V, RL=50Ω, 25℃, BOL 20     GHz
 
 6.Outline Drawing结构图
All dimensions in mm所有尺寸单位均为mm
 

Copyright © 2002-2016 深圳市广盛浩科技有限公司 版权所有 Power by DedeCms